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    伪静态存储器(Parrallel pSRAM)的设计是用于直接替代静态随机存储器(SRAM),即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器(PSRAM)及铁电随机存储器(F—RAM)。PSRAM针对慢速SRAM应用;当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM(即BBSRAM)应用,在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得,在这种应用中可以提供卓越的性能。
    VTIVilsion  Technology Inc.主要生产pSRAM芯片产品,长期为汽车,通信,数字消费,工业,医疗和物联网设计,开发和销售高性能,高性价,高品质pSRAM芯片产品,以高性价比的高品质半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期合作关系。 即使在制造能力紧张的时期,我们也一直是静态记忆产品的长期供应商。
    Density Org. Part Name Temp. Vcc(V) Speed Package Packing Status PDF下载
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